Ｓａｎｓｕｉ　ＡＵ−α９０７ｉ　ＭＯＳＬｉｍｉｔｅｄ．　 ３台目修理記録

平成１４年１１月２６日到着　　　１２月２２日完成

注意　このＡＭＰはＳＰ出力の線（アース側）も増幅しています。 　　　　アースに接続してはいけません。ＲＬ−ＳＰのアース線も接続（共通）してもいけません 　　　　又、ＤＣ−入力が可能ですが、絶対に使用しないこと＝詳しくはここ参照

Ａ．　修理前の状況 チューンＵＰが目的。 Ｂ．　原因 Ｃ．　修理状況 ＳＰ接続リレー交換（容量１．５倍の同型新タイプ使用）。 バランス、バイアス調整用　半固定ＶＲ交換。 初段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）。 カップリング電解コンデンサー交換。 配線手直し、補強。 各基板、半田補正。 電解コンデンサーを全部（６個の大容量は除く）オーディオ用に交換（ミューズを６２個使用）。 終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）交換。 バランスVR交換。 Ｄ．　使用部品 ＳＰ接続リレー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２個。 バランス、バイアス調整用　半固定ＶＲ　　　　　　１２個。 ＦＥＴ（電界効果トランジスター）　　　　　　　　　　　　　　　８個。 抵抗。 電解コンデンサー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６２個。 終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）交換　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１６個。 バランスVR　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１個。 Ｅ．　調整・測定 Ｆ．　修理費　　１１０，０００円　　　　オーバーホール修理。 Ｓ．　Ｓａｎｓｕｉ　ＡＵ−α９０７ｉＭＯＳＬｉｍｉｔｅｄ　の仕様（カタログ・マニアルより）

Ａ．　修理前の状況 終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）交換　右＝使用されていた１００ＷＦＥＴ（電界効果トランジスター）　　左＝今回使用するＦＥＴ（電界効果トランジスター）１５０Ｗ　　全て東芝製品

電解コンデンサーを全部（Ａ−１．の上の６個の大容量は除く）オーディオ用に交換 　　　　　　　下記のミューズを６２個使用（大きさ、容量異なる）

Ａ−１．　修理前　上から　電解コンデンサー上の緑テープは識別用

Ａ−２．　修理前　下から

Ｃ．　修理状況 Ｃ１．　修理前　ＥＱ基板

Ｃ２．　修理後　ＥＱ基板　音が通る結合（カップリング）コンデンサーは、ＢＰコンデンサーに交換したので２個→１個

Ｃ３．　修理前　ＥＱ基板裏

Ｃ４．　修理後（ハンダ補正）　ＥＱ基板裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ５．　修理前　コントロール基板

Ｃ６．　修理後　コントロール基板　音が通る結合（カップリング）コンデンサーは、ＢＰコンデンサーに交換したので２個→１個

Ｃ７．　修理前　コントロール基板裏

Ｃ８．　修理（ハンダ補正）後　コントロール基板裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ９．　修理前　コントロール基板�U

Ｃ１０．　修理後　コントロール基板�U　バランスVR交換

Ｃ１１．　修理前　コントロール基板�U裏

Ｃ１２．　修理（ハンダ補正）後　コントロール基板�U裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ１３．　修理前　切り替ＳＷ基板

Ｃ１４．　修理（ハンダ補正）後　切り替ＳＷ基板裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ１５．　修理前　ＳＰ接続リレー＆プロテクト基板

Ｃ１６．　修理後　ＳＰ接続リレー＆プロテクト基板　リレー２個、電解コンデンサー交換

Ｃ１７．　修理前　ＳＰ接続リレー＆プロテクト基板裏　ＳＰ端子、リレーは取り外し後

Ｃ１８．　修理（ハンダ補正）後　ＳＰ接続リレー＆プロテクト基板裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ１９．　修理前　Ｒ側終段基板

Ｃ２０．　修理後　Ｒ側終段基板　半固定ＶＲ４個、初段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）２個、電解コンデンサー交換

Ｃ２１．　修理前　Ｌ側終段基板

Ｃ２２．　修理後　Ｌ側終段基板　半固定ＶＲ４個、初段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）２個、電解コンデンサー交換

Ｃ２３．　修理前　R側終段基板裏

Ｃ２４．　修理前　R側終段基板裏　半田不良予備郡　拡大

Ｃ２５．　修理（半田補正）後　R側終段基板裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ２６．　修理前　Ｌ側終段基板裏

Ｃ２７．　修理（半田補正後）後　Ｌ側終段基板裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ２８．　修理前　電源基板

Ｃ２９．　修理後　電源基板　電解コンデンサー交換

Ｃ３０．　修理前　電源基板裏

Ｃ３１．　修理前　電源基板裏　半田不良予備郡　拡大

Ｃ３２．　修理後（ハンダ補正）　電源基板裏　　全ての半田をやり修す

Ｃ３３．　修理前　半田付けが悪く、撚り線が１本出ている　衰退する企業は現場が悪い為か？

Ｃ３４．　止めネジも増やしている

Ｃ３５．　何時ものパネル清掃

Ｃ３６．　完成　上から

Ｃ３７．　完成　上から

Ｃ３８．　交換部品　終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）は除く

Ｅ．　測定・調整 Ｅ１．　出力確認、調整

Ｅ２．　Ｒ側　２９Ｖ＝１０５Ｗ　歪率＝０．０８％　ＡＵＸ入力　１０００ＨＺ

Ｅ３．　Ｌ側　２９Ｖ＝１０５Ｗ　歪率＝０．０８％　ＡＵＸ入力　１０００ＨＺ

Ｅ４．　Ｒ側　２９Ｖ＝１０５Ｗ　歪率＝０．０８％　ＡＵＸ入力　４００ＨＺ

Ｅ５．　Ｌ側　３０Ｖ＝１１２Ｗ　歪率＝０．０８％　ＡＵＸ入力　４００ＨＺ

Ｅ６．　Ｒ側　２９Ｖ＝１０５Ｗ　歪率＝０．０？％　ＭＭ入力　１０００ＨＺ

Ｅ７．　Ｌ側　３０Ｖ＝１１２Ｗ　歪率＝０．０？％　ＭＭ入力　１０００ＨＺ

Ｅ８．　Ｒ側　２９Ｖ＝１０５Ｗ　歪率＝０．０？％　ＭＭ入力　４００ＨＺ

Ｅ９．　Ｌ側　２９Ｖ＝１０５Ｗ　歪率＝０．０？％　ＭＭ入力　４００ＨＺ

Ｅ１０．　その時の無信号時電源電圧

Ｅ１０Ａ．　ＲＬ１０５Ｗ出力時電源電圧

Ｅ１１．　１２時間エージング

Ｓ．　Ｓａｎｓｕｉ　ＡＵ−α９０７ｉＭＯＳＬｉｍｉｔｅｄ　の仕様（カタログ・マニアルより）

型式 インテグレーテッドアンプ　Ｓａｎｓｕｉ　ＡＵ−α９０７ｉＭＯＳＬｉｍｉｔｅｄ パワーアンプ部 実効出力(10Hz〜20kHz、両ch同時作動） 6Ω＝100W＋100W、　8Ω＝80W＋80W 全高調波歪率（実効出力時） 0.01％以下（8Ω） 周波数特性（1W） DC〜300kHz、+0 -3dB 混変調歪率 0.01％以下（8Ω） ダンピングファクター 150（8Ω） 入力感度/インピーダンス 1V/5kΩ（1kHz） SN比（Aネットワーク） 120dB以上 ダイナミックパワー 6Ω＝100W、　4Ω＝130W、　2Ω＝170W TIM歪（SAWTOOTH） 測定限界値以下 スルーレイト 200V/μsec ライズ・タイム 0.5μsec プリ・アンプ部 入力感度/インピーダンス（1kHz） Phono MM＝2.5mV/47kΩ Phono MC＝300μV/100Ω CD、Tuner、Line、Tape/DAT1・2＝150mV/20kΩ Phono最大許容入力 MM（THD 0.01％）＝250mV MC（THD 0.1％）＝25mV 周波数特性（1W） Phono MM＝20Hz〜20kHz、±0.2dB CD、Tuner、Line、Tape/DAT-1・2＝DC?300Hz、+0 -3dB SN比（Aネットワーク） Phono MM＝90dB以上 Phono MC＝75dB以上 CD、Tuner、Line、Tape/DAT-1・2＝110dB以上 サブソニックフィルター 16Hz（-3dB）、6dB/oct ラウドネス 50Hz＝+4dB 10kHz＝+3dB 総　合 定格消費電力 280W 外形寸法 幅466×高さ166×奥行453mm 重量 34.0kg 価格 410,000（1994年発売）

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